TRANSISTOR MOSFET CS830

Designador de tipo: CS830

Tipo de transistor: MOSFET

Tipo de canal de controle: N - canal

Dissipação máxima de energia (Pd): 87,5 W

Tensão máxima da fonte de drenagem | Vds |: 500 V

Tensão máxima da porta-fonte | Vgs |: 30 V

Tensão máxima de limiar de porta | Vgs (th) |: 4 V

Corrente máxima de drenagem | Id |: 5 A

Temperatura máxima de junção (Tj): 150 ° C

Tempo de subida (tr): 40 nS

Capacitância da fonte de drenagem (Cd): 85 pF

Resistência máxima no estado da fonte de drenagem (Rds): 1,4 Ohm